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HRF3205 PDF预览

HRF3205

更新时间： 2024-02-23 13:59:01
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 189K
描述
100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs

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HRF3205 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：175 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：390 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HRF3205 数据手册

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HRF3205, HRF3205S  
Source to Drain Diode Specifications  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
Continuous Source to Drain Current  
I
MOSFET  
Symbol Showing  
The Integral  
Reverse P-N  
Junction Diode  
-
-
100  
(Note 1  
A
SD  
D
Pulsed Source to Drain Current (Note 2)  
I
-
-
390  
A
SDM  
G
S
Source to Drain Diode Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovered Charge  
NOTE:  
V
I
I
I
= 59A (Note 4)  
-
-
-
-
1.3  
170  
680  
V
SD  
SD  
SD  
SD  
t
= 59A, dI /dt = 100A/µs (Note 4)  
SD  
110  
450  
ns  
nC  
rr  
Q
= 59A, dI /dt = 100A/µs (Note 4)  
SD  
RR  
2. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (See Figure 11)  
Typical Performance Curves  
1000  
1000  
V
IN DECENDING ORDER  
GS  
V
IN DECENDING ORDER  
GS  
15V  
10V  
15V  
10V  
8.0V  
7.0V  
6.0V  
5.5V  
5.0V  
4.5V  
8.0V  
7.0V  
6.0V  
5.5V  
5.0V  
4.5V  
100  
100  
20µs PULSE WIDTH  
20µs PULSE WIDTH  
o
o
T
= 175 C  
T
= 25 C  
C
C
10  
0.1  
10  
0.1  
1.0  
10  
100  
1
10  
100  
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
DS  
DS  
FIGURE 1. OUTPUT CHARACTERISTICS  
FIGURE 2. OUTPUT CHARACTERISTICS  
1000  
100  
10  
2.5  
2.0  
I
= 98A, V = 10V  
GS  
D
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
o
T
= 25 C  
J
1.5  
1.0  
0.5  
o
T
= 175 C  
J
V
= 25V  
DS  
PULSE DURATION = 80µs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
1
0
-80  
3
4.5  
6
7.5  
9
-40  
0
40  
80  
120  
160  
200  
o
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
T , JUNCTION TEMPERATURE ( C)  
GS  
J
FIGURE 3. TRANSFER CHARACTERISTICS  
FIGURE 4. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON  
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HRF3205, HRF3205S Rev. B  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HRF3205_NL FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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