5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 175 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 390 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HRF3205S | INTERSIL | 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs |
获取价格 |
|
| HRF3205S | FAIRCHILD | 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs |
获取价格 |
|
| HRF3205ST | RENESAS | 100A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
获取价格 |
|
| HRF3205ST | ROCHESTER | 100A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
获取价格 |
|
| HRF32TL | HITACHI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon |
获取价格 |
|
| HRF32TR | RENESAS | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon |
获取价格 |
|
资料手册解读：UC3842参数和管脚说明
一文带你了解无源晶振的负载电容为何要加两颗谐振电容CL1和CL2
玻璃管保险丝与陶瓷管保险丝：区别与替代性探讨
PCF8574资料解读：主要参数分析、引脚说明
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
