HRF3205

更新时间： 2024-02-18 05:38:44

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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9页	189K
描述
100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs

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HRF3205 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.008 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	175 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	390 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HRF3205 数据手册

HRF3205, HRF3205S

Data Sheet

December 2001

100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power

MOSFETs

Features

• 100A, 55V (See Note)

• Low On-Resistance, r

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power field effect transistors. They are advanced power

MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a

specified level of energy in the breakdown avalanche mode

of operation. All of these power MOSFETs are designed for

applications such as switching regulators, switching

converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high

power bipolar switching transistors requiring high speed and

low gate drive power. These types can be operated directly

from integrated circuits.

= 0.008Ω

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Thermal Impedance SPICE Model

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Symbol

NOTE: Calculated continuous current based on maximum

allowable junction temperature. Package limited to 75A

continuous, see Figure 9.

Ordering Information

PART NUMBER

HRF3205

HRF3205S

PACKAGE

TO-220AB

TO-263AB

BRAND

HRF3205

HRF3205S

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T

to obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g., HRF3205ST.

Packaging

JEDEC TO-220AB

JEDEC TO-263AB

DRAIN

(FLANGE)

DRAIN

(FLANGE)

GATE

SOURCE

DRAIN

SOURCE

GATE

HRF3205, HRF3205S Rev. B

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HRF3205_NL	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
HRF3205-F102	FAIRCHILD	Transistor	获取价格
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HRF3205L	RENESAS	100A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA	获取价格
HRF3205S	INTERSIL	100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs	获取价格
HRF3205S	FAIRCHILD	100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs	获取价格