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HMC818LP4E

更新时间： 2024-11-12 05:36:15
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HITTITE 放大器
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10页 459K
描述
GaAs SMT PHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz

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HMC818LP4E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN,针数：24
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.7
JESD-30 代码：S-PQCC-N24JESD-609代码：e3
长度：4 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：24
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm标称供电电压：3 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：RF AND BASEBAND CIRCUIT
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：4 mmBase Number Matches：1

HMC818LP4E 数据手册

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HMC818LP4E  
v01.0809  
GaAs SMT PHEMT DUAL CHANNEL  
LOW NOISE AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz  
8
Features  
Typical Applications  
The HMC818LP4E is ideal for:  
• Cellular/3G and LTE/WiMAX/4G  
• BTS & Infrastructure  
Low Noise Figure: 0.85 dB  
High Gain: 20.5 dB  
High OIP3: +35 dBm  
• Repeaters and Femtocells  
• Public Safety Radios  
Single Supply: +3V to +5V  
50 Ohm Matched Input/Output  
24 Lead 4x4mm QFN Package: 16mmꢀ  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC818LP4E is a GaAs PHEMT Dual Channel  
Low Noise Amplifier that is ideal for Cellular/3G and  
LTE/WiMAX/4G basestation front-end receivers  
operating between 1.7 - 2.2 GHz. The amplifier has  
been optimized to provide 0.85 dB noise figure,  
20.5 dB gain and +35 dBm output IP3 from a single  
supply of +5V. Input and output return losses are  
excellent and the LNA requires minimal external  
matching and bias decoupling components. The  
HMC818LP4E can be biased with +3V to +5V and  
features an externally adjustable supply current which  
allows the designer to tailor the linearity performance  
of each channel of the LNA for a specific application.  
Electrical Specifications,  
TA = +25° C, Rbias = 10K, Vdd= Vdd1, 2, 3, 4, Idd = Idd1 + Idd2, Idd3 + Idd4  
Vdd = 3V  
Vdd = 5V  
Parameter  
Units  
Min.  
15  
Typ.  
1700 - 2000  
18  
Max.  
Min.  
Typ.  
2000 - 2200  
16.5  
Max.  
Min.  
17  
Typ.  
1700 - 2000  
20.5  
Max.  
Min.  
Typ.  
2000 - 2200  
15.5 17.5  
Max.  
Frequency Range  
MHz  
dB  
Gain  
14  
Gain Variation Over Temperature  
Noise Figure  
0.010  
0.95  
0.008  
0.95  
0.015  
0.85  
0.012  
0.85  
dB/°C  
dB  
1.2  
1.2  
1.1  
1.1  
Input Return Loss  
Output Return Loss  
18  
17  
21  
18  
dB  
16  
15  
15  
13  
dB  
Output Power for 1 dB  
Compression (P1dB)  
14  
15  
19  
21  
dBm  
Saturated Output Power (Psat)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
Supply Current (Idd)  
15  
24.5  
42  
16  
25  
42  
20  
33  
21.5  
35  
dBm  
dBm  
mA  
30  
55  
30  
55  
78  
112  
146  
78  
112  
146  
* Rbias resistor sets current, see application circuit herein  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
8 - 404  
1234567...10

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与HMC818LP4E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HMC818LP4E_10 HITTITE

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 		GaAs SMT pHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz
HMC818LP4ETR ADI

获取价格

 		Dual Channel Low Noise Amplifier, 1700 - 2200 MHz
HMC818LP4ETR HITTITE

获取价格

 		RF and Baseband Circuit, PQCC24, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-24
HMC8191 ADI

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 		6 GHz to 26.5 GHz, Wideband I/Q Mixer
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