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HMC637LP5E

更新时间: 2024-01-02 00:38:06
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
8页 620K
描述
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz

HMC637LP5E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:LCC32,.2SQ,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:32
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:LCC32,.2SQ,20
电源:12 V射频/微波设备类型:WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers最大压摆率:480 mA
表面贴装:YES技术:GAAS
Base Number Matches:1

HMC637LP5E 数据手册

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HMC637LP5 / 637LP5E  
v02.0709  
GaAs MESFET MMIC 1 WATT  
POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz  
Application Circuit  
9
NOTE 1: Drain Bias (Vdd) must be applied through a broadband bias tee or external bias network.  
NOTE 2: Power Up Bias Sequence  
A) Set Vgg1 to -2V  
B) Set Vdd to +12V  
C) Set Vgg2 to +5V  
D) Adjust Vgg1 to achieve Idd for 400 mA  
Power Down Sequence  
A) Remove Vgg2 Bias  
B) Remove Vdd Bias  
C) Remove Vgg1 Bias  
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824  
Phone: 978-250-3343  
Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
9 - 7  
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com  

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