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HMC637LP5E

更新时间： 2024-01-24 11:05:37

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频微波功率放大器
页数	文件大小	规格书
8页	620K
描述
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz

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HMC637LP5E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LCC32,.2SQ,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	32
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20
电源：	12 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	480 mA
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

HMC637LP5E 数据手册

HMC637LP5 / 637LP5E

v02.0709

GaAs MESFET MMIC 1 WATT

POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz

Gain & Return Loss

Gain vs. Temperature

S21

S11

S22

+25C

+85C

-40C

-10

-20

-30

FREQUENCY (GHz)

Input Return Loss vs. Temperature

Output Return Loss vs. Temperature

+25C

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-5

+85C

-40C

+85C

-40C

-10

-15

-20

-25

-30

FREQUENCY (GHz)

Reverse Isolation vs. Temperature

Noise Figure vs. Temperature

-10

+25C

+85C

-40C

+25C

+85C

-40C

-20

-30

-40

-50

-60

FREQUENCY (GHz)

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

9 - 2

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HMC637LP5ETR	HITTITE	暂无描述	获取价格
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