是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | LCC16,.12SQ,20 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.42 | Is Samacsys: | N |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | COMPONENT |
增益: | 12.5 dB | 最大输入功率 (CW): | 10 dBm |
JESD-609代码: | e3 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最大工作频率: | 18000 MHz | 最小工作频率: | 5000 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码: | LCC16,.12SQ,20 |
电源: | 5 V | 射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率: | 150 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | GAAS |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC451LP3TR | HITTITE |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, | |
HMC452QS16G | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.45 - 2.2 GHz | |
HMC452QS16G | ADI |
获取价格 |
1 W功率放大器,采用SMT封装,0.4 - 2.2 GHz | |
HMC452QS16G_06 | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz | |
HMC452QS16G_09 | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz | |
HMC452QS16GE | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz | |
HMC452QS16GETR | HITTITE |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, | |
HMC452QS16GTR | HITTITE |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, | |
HMC452ST89 | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz | |
HMC452ST89 | ADI |
获取价格 |
1 W功率放大器,采用SMT封装,0.4 - 2.2 GHz |