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HMC454ST89

更新时间： 2024-01-05 18:47:08

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		放大器射频微波
页数	文件大小	规格书
14页	401K
描述
InGaP HBT 1/2 WATT HIGH IP3 AMPLIFIER, 0.4 - 2.5 GHz

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HMC454ST89 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	TO-243
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.08	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TO-243
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	175 mA
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
Base Number Matches：	1

HMC454ST89 数据手册

HMC454ST89

v02.0404

MICROWAVE CORPORATION

InGaP HBT ½ WATT HIGH IP3

AMPLIFIER, 0.4 - 2.5 GHz

Typical Applications

The HMC454ST89 is ideal for applications requiring

a high dynamic range ampliﬁer:

Features

Output IP3: +40 to +42 dBm

Gain: 12.5 dB @ 2150 MHz

50% PAE @ +28 dBm Pout

+17.5 dBm W-CDMA Channel Power@ -45 dBc ACP

Single +5V Supply

• GSM, GPRS & EDGE

• CDMA & W-CDMA

• CATV/Cable Modem

• Fixed Wireless & WLL

Industry Standard SOT89 Package

Functional Diagram

General Description

The HMC454ST89 is a high dynamic range

GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor

(HBT) ½ watt MMIC ampliﬁer operating between

0.4 and 2.5 GHz. Packaged in a low cost industry

standard SOT89, the ampliﬁer gain is typically

17.8 dB from 0.8 to 1.0 GHz and 12.5 dB from

1.8 to 2.2 GHz. Utilizing a minimum number of

external components and a single +5V supply,

the ampliﬁer output IP3 can be optimized to +40

dBm at 0.9 GHz or +42 dBm at 2.0 GHz.The high

output IP3 and PAE makes the HMC454ST89 an

ideal driver ampliﬁer for Cellular/PCS/3G, WLL,

ISM and Fixed Wireless applications.

Electrical Speciﬁcations,T_A= +25°C, Vs= +5V, (note 1)

Parameter

Min.

Typ.

824 - 960

17.8

0.008

Max.

Min.

Typ.

1800 - 2000

12.5

0.008

Max.

Min.

Typ.

2000 - 2200

12.5

Max.

Units

MHz

Frequency Range

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.016

0.008

0.016

dB / °C

Output Return Loss

Output Power for 1dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3) (note 2)

Noise Figure

24.5

25.5

27.5

dBm

28.5

6.5

5.2

Supply Current (Icq)

150

Note 1: Speciﬁcations and data reﬂect HMC454ST89 measured using the respective application circuits for each designated frequency band found

herein. Contact the HMC Applications Group for assistance in optimizing performance for your application.

Note 2: Two-tone input power of 0 dBm per tone, 1 MHz spacing.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

8 - 250

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC454ST89_07	HITTITE	获取价格	InGaP HBT  WATT HIGH IP3 AMPLIFIER, 0.4 - 2.
HMC454ST89_10	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ? WATT HIGH IP3 AMPLIFIER, 0.4 - 2.5 GHz
HMC454ST89E	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ? WATT HIGH IP3 AMPLIFIER, 0.4 - 2.5 GHz
HMC454ST89ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier,
HMC454ST89TR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier,
HMC455	ADI	获取价格	?瓦特高IP3放大器，采用SMT封装，1.7 - 2.5 GHz
HMC455LP3	HITTITE	获取价格	InGaP HBT 1/2 Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz
HMC455LP3_06	HITTITE	获取价格	InGaP HBT  Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.
HMC455LP3_09	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ? Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz
HMC455LP3E	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ? Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz

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