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HM6288JP-35

更新时间: 2024-01-19 23:16:08
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 191K
描述
x4 SRAM

HM6288JP-35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ24,.34
针数:24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.7最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0长度:15.63 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:24字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ24,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm

HM6288JP-35 数据手册

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