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HM3E65728BH-9

更新时间： 2024-11-10 20:09:11

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	102K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

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HM3E65728BH-9 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	最长访问时间：	25 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T24
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HM3E65728BH-9 数据手册

MATRA MHS

HM 65728B

2K × 8 High Speed CMOS SRAM

Description

The HM 65728B is a high speed CMOSstatic RAM Easy memory expansion is provided by an active low chip

organized as 2048 × 8 bits. It is manufactured using select (CS) and active low output enable (OE) and three

MHS’s high performance CMOS technology.

state drivers.

All inputs and outputs of the HM 65728 are TTL

compatible and operate from single 5V supply thus

simplifying system design.

Access times as fast as 25 ns are available with maximum

power consumption of only 600 mW.

The HM 65728B features fully static operation requiring

no external clocks or timing strobes. The automatic

power-down feature reduces the power consumption by

80 % when the circuit is deselected.

The HM 65728B is 100 % processed following the test

methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000 making

it ideally suitable for military/space applications that

demand superior levels of performance and reliability.

Features

D Fast Access Time

D 300 and 600 Mils Width Package

D TTL Compatible Inputs and Outputs

D Asynchronous

Commercial : 25/35/45/55 ns (max)

Military : 25/35/45/55 ns (max)

D Low Power Consumption Active :

550 mW (max)

D Capable of Withstanding Greater than 2000 V Electrostatic

Discharge

Standby : 110 mW (max)

D Wide Temperature Range :

–55°C to + 125°C

D Single 5 Volt Supply

Interface

Block Diagram

Rev. C (16/08/95)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM3E65728BH-9:D	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, PACKAGE-24
HM3E65728BH-9:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, PACKAGE-24
HM3E65728BH-A	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
HM3E65728BH-A:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
HM3E65728BK-5	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC PACKAGE-24
HM3E65728BK-5:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
HM3E65728BK-6	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24,
HM3E65728BK-9	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
HM3E65728BK-9:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
HM3E65728BK-A	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

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