1SS286

更新时间： 2024-09-16 22:35:03

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日立 - HITACHI		肖特基二极管微波混频二极管开关
页数	文件大小	规格书
6页	30K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching

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1SS286 数据手册

1SS286

Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector,

High Speed Switching

ADE-208-302A (Z)

Rev. 1

Sep. 1995

Features

•

Very low reverse current.

Detection efficiency is very good.

Small glass package (MHD) enables easy mounting and high reliability.

Ordering Information

Type No.

Cathode band

Green

Mark

Package Code

MHD

1SS286

Outline

Cathode band

1. Cathode

2. Anode

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1SS286-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
1SS286TA	RENESAS	获取价格	SILICON, MIXER DIODE, DO-34
1SS286TAX	HITACHI	获取价格	暂无描述
1SS286TD	HITACHI	获取价格	Mixer Diode, Silicon, DO-34
1SS286TD	RENESAS	获取价格	SILICON, MIXER DIODE, DO-34
1SS286TD-E	RENESAS	获取价格	SILICON, MIXER DIODE, DO-34
1SS286TDX	HITACHI	获取价格	暂无描述
1SS286TJ	RENESAS	获取价格	SILICON, MIXER DIODE
1SS290	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon, DO-34
1SS290HJ	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.13A, 90V V(RRM), Silicon, DO-34