HIT562-EQ

更新时间： 2024-01-30 19:22:26

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管放大器
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Silicon PNP Epitaxial

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HIT562-EQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	其他特性：	NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HIT562-EQ 数据手册

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G1503-0200

Rev.2.00

Mar 05, 2007

Features

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with HIT468

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Unit

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-45

-25

-6

-1.0

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_{C (peak)}

P_C

-1.5

0.8

°C

150

Tstg

–55 to +150

Note : 1. PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%

Rev.2.00 Mar 05, 2007 page 1 of 4

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