HIT673-EQ

更新时间： 2024-09-28 05:36:07

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管放大器
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描述
Silicon PNP Epitaxial

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HIT673-EQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SC-43A, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.55
其他特性：	NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HIT673-EQ 数据手册

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G1608-0100

Rev.1.00

Nov 28, 2007

Features

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with HIT1213

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

I_{C (peak)}

P_C

Ratings

–50

–5

–0.5

–1.0

0.4

150

–55 to +150

Unit

°C

Note

Storage temperature

Tstg

Note: PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%

REJ03G1608-0100 Rev.1.00 Nov 28, 2007

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