HIT8050-N

更新时间： 2024-02-14 00:16:24

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Silicon NPN Epitaxial

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HIT8050-N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SC-43A, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	其他特性：	NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	85
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HIT8050-N 数据手册

HIT8050-N

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G1611-0100

Rev.1.00

Nov 28, 2007

Features

•

Low frequency power amplifier

Complementary pair with HIT8550-N

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92 (1))

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

I_{C (peak)}

P_C

Ratings

Unit

0.7

1.0

°C

Note

0.625

150

–55 to +150

Storage temperature

Tstg

Note: PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%

REJ03G1611-0100 Rev.1.00 Nov 28, 2007

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