HIT667-HQ

更新时间： 2024-09-28 12:32:55

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管放大器
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5页	71K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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HIT667-HQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.51
其他特性：	NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HIT667-HQ 数据手册

Preliminary Datasheet

R07DS0450EJ0400

(Previous: REJ03G1505-0300)

Rev.4.00

Silicon NPN Epitaxial

Jun 14, 2011

Features



Low frequency power amplifier

Complementary pair with HIT647

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

120

100

1.0

Collector peak current

I_{C (peak)}

P_C

2.0

Collector power dissipation

Junction temperature

0.9

C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Note : 1. PW  10 ms, Duty cycle  20%

R07DS0450EJ0400 Rev.4.00

Jun 14, 2011

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