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HIS025

更新时间： 2024-02-11 15:28:44
品牌 Logo 应用领域
HUTSON 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-218

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HIS025 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.83
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：40 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：100 mA
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大漏电流：0.5 mA
通态非重复峰值电流：250 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：25000 A
最高工作温度：110 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：50 V
重复峰值反向电压：50 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

HIS025 数据手册

  
MAXIMUM RATINGS  
SYMBOL VDRM  
DEVICE NUMBERS  
UNITS  
50  
100  
200  
400  
600  
HIS025  
HIS040  
HIS140  
HIS240  
HIS440  
HIS640  
HIS065  
HIS125  
HIS225  
HIS425  
HIS625  
HIS165  
HIS265  
HIS465  
HIS665  
Repetitive Peak Off-State Voltage (1)  
Gate open, and Tj = 110° C  
VDRM  
VOLT  
RMS On-State Current at TC = 80 ° C  
and Conduction Angle of 360°  
Peak Surge (Non-Repetitive) On-State  
Current, One-Cycle, at 50Hz or 60 Hz  
It(RMS)  
ITSM  
25  
40  
65  
AMP  
AMP  
250  
400  
650  
Peak Gate-Trigger Current for 3µsec. Max.  
Peak Gate-Power Dissipation at IGT < IGTM  
Average Gate-Power Dissipation  
IGTM  
PGM  
5
5
5
AMP  
WATT  
WATT  
°C  
20  
0.5  
20  
20  
0.5  
PG(AV)  
Tstg  
0.5  
Storage Temperature Range  
-40 to +150  
-40 to +110  
Operating Temperature Range, Tj  
Toper  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
At Specified Case Temperatures  
Peak Off-State Current, Gate Open  
TC = 110° C VDRM &VRRM = Max. Rating  
Maximum On-State Voltage, (PEAK) at  
TC=25°C, and IT = Rated Amps  
DC Holding Current, Gate Open  
and TC = 25°C  
Critical Rate-Of-Rise of Off-State Voltage,  
Gate Open, TC = 110°C  
DC Gate – Trigger Current for Anode Voltage  
= 12VDC, RL = 60W and at TC = 25° C  
DC Gate-Trigger Voltage for Anode Voltage =  
12VDC, RL = 60W and at TC = 25°C  
Gate-Controlled Turn-on Time for  
t D + t R, IGT = 150mA and TC = 25°C  
mA  
MAX.  
VOLT  
MAX  
mA  
IDRM  
VTM  
IHO  
0.5  
1.6  
100  
200  
40  
0.5  
1.8  
100  
200  
40  
0.5  
1.8  
100  
200  
50  
MAX.  
Critical  
dv/dt  
V/µsec.  
mA  
MAX.  
VOLT  
MAX  
IGT  
VGT  
Tgt  
2
2
2
2.5  
2.5  
2.5  
µsec.  
°C/WATT  
TYP  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.1  
0.95  
1.0  
RqJ-C  
*All Hutson Isolated TO-218 devices are UL Recognized.  
UL number E95589 (N)  
Note: Add “E” Suffix for Eyelet Leads  
SOLID STATE CONTROL DEVICES  
39  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HIS040 HUTSON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 40A I(T)RMS, 40000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element
HIS0642 AUK

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 		IC Socket, DIP42, 42 Contact(s), 1.778mm Term Pitch, 0.6inch Row Spacing, Solder
HIS065 HUTSON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, TO-218
HIS125 HUTSON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme
HIS140 HUTSON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 40A I(T)RMS, 40000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme
HIS165 HUTSON

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 		Silicon Controlled Rectifier, TO-218
HIS1X11 AUK

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 		IC Socket, SIP11, 11 Contact(s), 1.778mm Term Pitch, Solder
HIS1X15 AUK

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 		IC Socket, SIP15, 15 Contact(s), 1.778mm Term Pitch, Solder
HIS240 HUTSON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 40A I(T)RMS, 40000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme
HIS265 HUTSON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, TO-218

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