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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> HFA35HB120
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HFA35HB120

更新时间： 2024-11-30 10:47:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 整流二极管局域网软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
5页 124K
描述
Ultrafast, Soft Recovery Diode

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HFA35HB120 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.37Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：3.9 V
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：190 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：11 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：83 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向恢复时间：0.135 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HFA35HB120 数据手册

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PD-20370  
HFA35HB120  
Ultrafast, Soft Recovery Diode  
HEXFREDTM  
Features  
• Reduced RFI and EMI  
• Reduced Snubbing  
• Extensive Characterization of Recovery Parameters  
• Hermetic  
• Electrically Isolated  
(ISOLATEDBASE)  
VR = 1200V  
VF = 3.1V  
Qrr = 510 nC  
• Ceramic Eyelets  
di(rec)M/dt = 350A/µs  
CATHODE  
ANODE  
Description  
HEXFREDTM diodes are optimized to reduce losses and  
EMI/RFI in high frequency power conditioning systems.  
An extensive characterization of the recovery behavior  
for different values of current, temperature and di/dt  
simplifies the calculations of losses in the operating  
conditions. The softness of the recovery eliminates the  
need for a snubber in most applications. These devices  
are ideally suited for power converters, motors drives and  
other applications where switching losses are significant  
portion of the total losses.  
TO-254AA  
Absolute Maximum Ratings (per Leg)  
Parameter  
D.C. Reverse Voltage  
Max.  
1200  
Units  
V
VR  
IF @ TC = 100°C  
Continuous Forward Current   
11  
A
IFSM @ TC = 25°C Single Pulse Forward Current ‚  
190  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
83  
W
TJ  
-55 to +150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Thermal - Mechanical Characteristics  
Parameter  
Junction-to-Case, Single Leg Conducting  
Weight  
Typ.  
—
Max.  
1.5  
Units  
RθJC  
°C/W  
g
9.3  
—
Note:  D.C. = 50% rect. wave  
‚ 1/2 sine wave, 60 Hz , P.W. = 8.33 ms  
www.irf.com  
1
6/30/99  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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