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HFA35HB60DPBF

更新时间: 2024-11-25 04:52:39
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描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 22A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

HFA35HB60DPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-MSFM-W3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.65应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ANODE AND CATHODE配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-MSFM-W3最大非重复峰值正向电流:225 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最大输出电流:22 A
封装主体材料:METAL封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.075 µs
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

HFA35HB60DPBF 数据手册

  

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