HF8-28F

更新时间： 2024-11-10 22:31:35

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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HF8-28F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	13 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

HF8-28F 数据手册

HF8-28F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI HF8-28F is Designed for

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

FEATURES:

.112 x 45°

· P_G= 21 dB min. at 8 W/30 MHz

· IMD₃= -30 dBc max. at 8 W(PEP)

· Omnigold™ Metalization System

Ø.125 NOM.

FULL R

.125

MAXIMUM RATINGS

I_C

1.0 A

65 V

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

MAXIMUM

inches / mm

35 V

DIM

inches / mm

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

65 V

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

4.0 V

13.0 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

13.5 ^OC/W

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.240 / 6.10

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10600

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CES

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

4.0

1.0

---

h_FE

I_C= 200 mA

P_IN= 1.0 W

5.0

C_OB

V_CB= 30 V

V_CC= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 150 MHz

---

G_P

P_OUT

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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