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HD2A4M PDF预览

HD2A4M

更新时间： 2024-11-07 19:16:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 211K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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HD2A4M 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HD2A4M 数据手册

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DATA SHEET  
COMPOUND TRANSISTOR  
HD2 SERIES  
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor  
For mid-speed switching  
FEATURES  
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)  
•
•
•
•
High current drives such as IC outputs and actuators available  
On-chip bias resistor  
The zener diode connected between the collector and base of the transistor  
Low power consumption during drive  
HD2 SERIES LISTS  
Products  
Marking  
R1 (kΩ)  
1.0  
R2 (kΩ)  
1.0  
10  
HD2A3M  
HD2F3P  
HD2L3N  
HD2A4M  
HD2L2Q  
HD2F2Q  
HD2A4A  
LA  
LB  
LC  
LD  
LE  
LF  
LY  
2.2  
4.7  
10  
10  
10  
0.47  
0.22  
−
4.7  
2.2  
10  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current (DC)  
Collector current (Pulse)  
VCBO  
60 10  
60 10  
10  
VCEO  
V
VEBO  
V
IC(DC)  
1.0  
A
Note1  
2.0  
A
IC(pulse)  
IB(DC)  
Note2  
Base current (DC)  
20  
mA  
W
Total power dissipation  
2.0  
PT  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
Notes 1. PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %  
2. When 0.7 mm × 16 cm2 ceramic board is used  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D18007EJ4V0DS00 (4th edition)  
Date Published September 2006 NS CP(K)  
Printed in Japan  
2006  
123456

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与HD2A4M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HD2A4M-T1 NEC

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 		1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
HD2A4M-T1-AY RENESAS

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD2A4M-T2 NEC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL
HD2A4M-T2-AZ RENESAS

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89
HD2A-5D ETC

获取价格

 		SOT 23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING DIODES
HD2ADA ZETEX

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 85V V(RRM),
HD2ADB ZETEX

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 85V V(RRM),
HD2ADC ZETEX

获取价格

 		RECTIFIER DIODE,85V V(RRM),CHIP / DIE
HD2ADWP ZETEX

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, Silicon, 0.020 X 0.020 INCH, G26, DIE-2
HD2ATA ZETEX

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon

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