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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.39 |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC50001-070 |
| 最大反向电流： | 1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HD2F2Q | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| HD2F2Q | RENESAS |
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1000mA, 70V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| HD2F2Q-AY | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD2F2Q-T1-AZ | RENESAS |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD2F2Q-T2 | NEC |
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1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
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| HD2F2Q-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD2F3P | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| HD2F3P | RENESAS |
获取价格 |
1000mA, 70V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| HD2F3P-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD2F3P-T1-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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