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HD2307

更新时间： 2024-12-01 01:24:23

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海德 - HDSEMI		/
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描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET

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HD2307 数据手册

HD2307

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET

P -Channel MOSFET

roduct Summary

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

SOT- 23

-10V

88m

-30

-2.7A

138mΩ -4.5V

Features

●

TrenchFET Power MOSFET

●

Excellent R_DS(on)and Low Gate Charge

Applications

●

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

Marking:

●

Symbol

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current ^a,b

Continuous Source-Drain Current^a,b

Power Dissipation^a,b

V_DS

V_GS

I_D

-30

±20

-2.7

I_S

-0.91

1.1

P_D

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤5s)

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

R_θJA

T_J

114

℃/W

150

℃

T_stg

-55 ~+150

igh Diode Semiconductor

12 3 4 5

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