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HD2321

更新时间： 2024-12-01 01:24:39

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海德 - HDSEMI		/
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5页	2003K
描述
Plastic-Encapsu l ate MOSFET

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HD2321 数据手册

HD2321

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET

P -Channel MOSFET

roduct Summary

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

SOT- 23

-4.5V

57m

76mΩ -2.5V

-20

-2.9A

110mΩ -1.8V

Features

●

TrenchFET Power MOSFET

Applications

●

PA Switch

Load Switch

Marking

●

S21

Symbol

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

-20

±12

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

-2.9

I_DM

I_S

-12

Continuous Source-Drain Diode Current

Maximum Power Dissipation

-0.59

0.35

P_D

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Junction Temperature

R_θJA

T_J

357

℃/W

150

℃

Storage Temperature

T_stg

-50 ~+150

igh Diode Semiconductor

12 3 4 5

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