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HD2312

更新时间： 2024-11-10 01:24:39

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描述
Plastic-Encapsulate MOSFET

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HD2312 数据手册

HD2312

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET

N -Channel MOSFET

roduct Summary

I_D

SOT- 23

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

4.5V

31.8m

35.6mΩ 2.5V

41.4mΩ 1.8V

Features

●

TrenchFET Power MOSFET

●

Excellent R_DS(on)and Low Gate Charge

Applications

● DC/DC Converters

Load Switching for Portable Applications

●

Marking:

●

S12

Symbol

Unit

Parameter

Value

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±8.0

Continuous Drain Current

t=5s

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

Continuous Source-Drain Diode Current

Maximum Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Junction Temperature

1.04

0.35

357

P_D

R_θJA

T_J

℃/W

150

℃

Storage Temperature

T_stg

-50 ~+150

igh Diode Semiconductor

12 3 4 5

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