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HD2312

更新时间: 2024-11-08 01:24:39
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海德 - HDSEMI /
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5页 1990K
描述
Plastic-Encapsulate MOSFET

HD2312 数据手册

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HD2312  
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET  
N -Channel MOSFET  
roduct Summary  
P
ID  
SOT- 23  
V(BR)DSS  
RDS(on)MAX  
@
Ω
4.5V  
31.8m  
D
@
35.6mΩ 2.5V  
20  
V
5A  
@
41.4mΩ 1.8V  
S
Features  
TrenchFET Power MOSFET  
G
Excellent RDS(on) and Low Gate Charge  
Applications  
DC/DC Converters  
Load Switching for Portable Applications  
Marking:  
S12  
Symbol  
Unit  
Parameter  
Value  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
ID  
20  
±8.0  
5
V
Continuous Drain Current  
t=5s  
t=5s  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
20  
Continuous Source-Drain Diode Current  
Maximum Power Dissipation  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
Junction Temperature  
1.04  
0.35  
357  
PD  
W
RθJA  
TJ  
/W  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
-50 ~+150  
1
H
igh Diode Semiconductor  

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