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HD2310

更新时间： 2024-12-01 01:24:39

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海德 - HDSEMI		/
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5页	2005K
描述
Plastic-Encapsu l ate MOSFET

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HD2310 数据手册

HD2310

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET

N -Channel MOSFET

roduct Summary

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

SOT- 23

@10V

105m

125mΩ 4.5V

Features

High power and current handing capability

Lead free product is acquired

Surface mount package

●

Applications

● DC/DC Converters

●

Battery Switch

Marking:

●

S10

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

±20

Pulsed Drain Current (note 1)

Power Dissipation

I_DM

P_D

0.35

357

Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2)

Junction Temperature

R_θJA

T_J

℃/W

℃

150

Storage Temperature

T_STG

-55~+150

℃

igh Diode Semiconductor

12 3 4 5

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