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HCS10MS

更新时间： 2024-02-05 07:00:37
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 栅
页数 文件大小 规格书
8页 184K
描述
Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate

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HCS10MS 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFP
包装说明：DFP, FL14,.3针数：14
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.81系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-CDFP-F14JESD-609代码：e0
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.004 A功能数量：3
输入次数：3端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装等效代码：FL14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 VProp。Delay @ Nom-Sup：22 ns
传播延迟（tpd）：22 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO筛选级别：38535V;38534K;883S
座面最大高度：2.92 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED总剂量：200k Rad(Si) V
宽度：6.285 mmBase Number Matches：1

HCS10MS 数据手册

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HCS10MS  
Radiation Hardened  
Triple 3-Input NAND Gate  
September 1995  
Features  
Pinouts  
14 LEAD CERAMIC DUAL-IN-LINE  
METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)  
MIL-STD-183S CDIP2-T14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
• Total Dose 200K RAD (Si)  
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg  
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day  
(Typ)  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC  
13 C1  
12 Y1  
11 C3  
10 B3  
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s  
• Dose Rate Upset >1010 RAD (SI)/s 20ns Pulse  
• Cosmic Ray Upset Immunity < 2 x 10-9 Errors/Gate Day (Typ)  
• Latch-Up Free Under Any Conditions  
A2  
B2  
C2  
Y2  
9
8
A3  
Y3  
GND  
• Military Temperature Range: -55oC to +125oC  
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs  
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V  
14 LEAD CERAMIC METAL SEAL FLATPACK PACKAGE  
(FLATPACK) MIL-STD-183S CDFP3-F14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• Input Logic Levels  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
VCC  
C1  
Y1  
- VIL = 30% of VCC Max  
- VIH = 70% of VCC Min  
A2  
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH  
B2  
C3  
B3  
A3  
Y3  
C2  
Description  
Y2  
The Intersil HCS10MS is a Radiation Hardened Triple 3-Input  
NAND Gate. A high on all inputs forces the output to a Low state.  
GND  
8
The HCS10MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to  
achieve high-speed operation. This device is a member of  
radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.  
Functional Diagram  
An  
(1, 3, 9)  
The HCS10MS is supplied in a 14 lead Ceramic flatpack (K suffix)  
or a SBDIP Package (D suffix).  
Bn  
Yn  
(12, 6, 8)  
(2, 4, 10)  
Ordering Information  
Cn  
(5, 11, 13)  
PART  
NUMBER  
TEMPERATURE SCREENING  
RANGE LEVEL  
TRUTH TABLE  
INPUTS  
PACKAGE  
OUTPUTS  
o
o
HCS05DMSR  
HCS05KMSR  
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead SBDIP  
An  
L
Bn  
L
Cn  
L
Yn  
H
H
H
H
H
H
H
L
o
o
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
L
L
H
L
L
H
H
L
o
HCS05D/  
Sample  
+25 C  
Sample  
Sample  
Die  
14 Lead SBDIP  
L
H
L
H
H
H
H
o
HCS05K/  
Sample  
+25 C  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
L
H
L
H
H
o
H
HCS05HMSR  
+25 C  
Die  
NOTE: L = Logic Level Low, H = Logic level High  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518747  
File Number 2435.2  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1
12345678

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