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HB56UW1673E-6

更新时间： 2024-01-25 02:02:09

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	332K
描述
EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

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HB56UW1673E-6 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	1207959552 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	31.75 mm
最大待机电流：	0.019 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	1.99 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HB56UW1673E-6 数据手册

HB56UW1673E-5/6

128MB Buffered EDO DRAM DIMM

16-Mword × 72-bit, 4k Refresh, 1 Bank Module

(18 pcs of 16M × 4 components)

ADE-203-854A (Z)

Rev. 1.0

May 15, 1998

Description

The HB56UW1673E belongs to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family , and have been

developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The

HB56UW1673E is a 16 M × 72 Dynamic RAM Module, mounted 18 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165405) sealed in TSOP package and 2 pieces of 16-bit line driver sealed in TSSOP package. The

HB56UW1673E offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of

the HB56UW1673E is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56UW1673E makes

high density mounting possible without surface mount technology. The HB56UW1673E provides common

data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)

Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V supply : 3.3 ± 0.3 V

High speed

Access time: t_RAC= 50 ns/60 ns (max)

Access time: t_CAC= 18 ns/20 ns (max)

Low power dissipation

•

Active mode: 8.46 W/7.16 W (max)

Standby mode (TTL): 166 mW (max)

Buffered input except RAS and DQ

4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)

•

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HB56UW1673E-6A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-6F	ELPIDA	获取价格	128MB Buffered EDO DRAM DIMM 16-Mword × 72-bi
HB56UW1673E-7A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-F	ELPIDA	获取价格	128MB Buffered EDO DRAM DIMM 16-Mword × 72-bi
HB56UW1673EJN-5	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168
HB56UW1673EJN-6	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168
HB56UW1673EJN-6A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673EJN-7A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673EN-6A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673EN-7A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module

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