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HB56UW232D-6L

更新时间： 2024-01-04 18:40:03

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描述
x32 EDO Page Mode DRAM Module

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HB56UW232D-6L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DMA
包装说明：	DIMM, DIMM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N72
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	72
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM72
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0006 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HB56UW232D-6L 数据手册

HB56UW232D Series

HB56UW432D Series

2,097,152-word × 32-bit High Density Dynamic RAM Module

4,194,304-word × 32-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-784A (Z)

Rev.1.0

May. 20, 1997

Description

The HB56UW232D is a 2M × 32 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module

(S.O.DIMM), mounted 4 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W17805) sealed in TSOP package. The

HB56UW432D is a 4M × 32 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module (S.O.DIMM),

mounted 8 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W17805) sealed in TSOP package. The HB56UW232D,

HB56UW432D offer Extended Data Out (EDO) page mode as a high speed access mode. An outline of the

HB56UW232D, HB56UW432D is 72-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package.

Therefore, the HB56UW232D, HB56UW432D make high density mounting possible without surface

mount technology. The HB56UW232D, HB56UW432D provide common data inputs and outputs.

Decoupling capacitors are mounted on the module board.

Features

•

72-pin Zig Zag Dual tabs socket type

Outline: 59.69 mm (Length) × 25.40 mm (Height) × 2.42/3.80 mm (Thickness)

Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V) supply

High speed

Access time: t_RAC= 50/60/70 ns (max)

t_CAC= 13/15/18 ns (max)

•

Low power dissipation

Active mode: 1.59/1.44/1.30 W (max) (HB56UW232D Series)

1.66/1.51/1.36 W (max) (HB56UW432D Series)

Standby mode (TTL): 28.8/57.6 mW (max)

(CMOS): 2.16/4.32 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

•

Refresh period

2048 refresh cycles: 32 ms

128 ms (L-version)

•

4 variations of refresh

This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer

12 3 4 5 6 7...26

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HB56UW232D-7L	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW264DB-5	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-5L	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-6	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-6BL	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW264DB-6L	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW264DB-7	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-7B	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, MOS, DIMM-144
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