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HB56UW264DB-5

更新时间： 2024-02-10 15:14:41

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	475K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144

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HB56UW264DB-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0012 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.88 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HB56UW264DB-5 数据手册

HB56UW264DB Series

2,097,152-word × 64-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-735A (Z)

Rev.1.0

Feb. 7, 1997

Description

The HB56UW264DB is a 2M × 64 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module

(S.O.DIMM), mounted 8 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W17805) sealed in TSOP package and 1 pieces

of serial EEPROM (24C02) for Presence Detect (PD). The HB56UW264DB offers Extended Data Out

(EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the HB56UW264DB is 144-pin Zig Zag

Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, the HB56UW264DB makes high density

mounting possible without surface mount technology. The HB56UW264DB provides common data inputs

and outputs. Decoupling capacitors are mounted on the module board.

Features

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type

Outline: 67.60 mm (Length) × 25.40 mm (Height) × 3.80 mm (Thickness)

Lead pitch: 0.80 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V) supply

High speed

Access time: t_RAC= 50/60/70 ns (max)

t_CAC= 13/15/18 ns (max)

•

Low power dissipation

Active mode: 3.17/2.88/2.59 W (max)

Standby mode (TTL): 57.6 mW (max)

(CMOS): 4.32 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

Refresh period

•

2048 refresh cycles: 32 ms

128 ms (L-version)

•

4 variations of refresh

RAS-only refresh

CAS-before-RAS refresh

Hidden refresh

Self refresh (L-version)

12 3 4 5 6 7...32

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与HB56UW264DB-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HB56UW264DB-5L	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-6	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-6BL	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW264DB-6L	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW264DB-7	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-7B	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, MOS, DIMM-144
HB56UW264DB-7BL	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW264DB-7L	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-8BL	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW264EJN-5	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module

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