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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | DIMM, DIMM144,32 | 针数： | 144 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 60 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N144 |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 144 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM144,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 2048 | 座面最大高度： | 25.4 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.0012 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.8 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HB56UW264DB-7 | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144 |
|
| HB56UW264DB-7B | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, MOS, DIMM-144 |
|
| HB56UW264DB-7BL | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56UW264DB-7L | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144 |
|
| HB56UW264DB-8BL | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56UW264EJN-5 | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56UW264EJN-5L | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56UW264EJN-6 | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56UW264EJN-6B | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56UW264EJN-6L | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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