Datasheet > HB56UW1673EJN-5

HB56UW1673EJN-5

更新时间： 2024-02-11 09:31:17

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	390K
描述
EDO DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HB56UW1673EJN-5 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1207959552 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
最大待机电流：	0.009 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.34 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HB56UW1673EJN-5 数据手册

HB56UW1673EJN-5/6,

HB56UW1665EJN-5/6

128MB Unbuffered EDO DRAM DIMM

16-Mword × 72/64-bit, 4k Refresh, 1 Bank Module

(18/16 pcs of 16M × 4 components)

ADE-203-859A (Z)

Rev. 1.0

May 22, 1998

Description

The HB56UW1673EJN, HB56UW1665EJN belong to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module)

family , and have been developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor

applications. The HB56UW1673EJN is a 16 M × 72 Dynamic RAM Module, mounted 18 pieces of 64-

Mbit DRAM (HM5165405) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM for Presence Detect

(PD). The HB56UW1665EJN is a 16 M × 64 Dynamic RAM Module, mounted 16 pieces of 64-Mbit

DRAM (HM5165405) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM for Presence Detect (PD).

The HB56UW1673EJN, HB56UW1665EJN offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. An outline of the HB56UW1673EJN, HB56UW1665EJN Series are 168-pin socket type

package (dual lead out). Therefore, the HB56UW1673EJN, HB56UW1665EJN make high density

mounting possible without surface mount technology. The HB56UW1673EJN, HB56UW1665EJN provide

common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each SOJ on the its module

board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)

Outline: 133.35 mm (Length) × 25.40 mm (Height) × 9.00 mm (Thickness)

Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

High speed

Access time: t_RAC= 50 ns/60 ns (max)

Access time: t_CAC= 13 ns/15 ns (max)

12 3 4 5 6 7...36

中文翻译

下载PDF

与HB56UW1673EJN-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HB56UW1673EJN-6	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168
HB56UW1673EJN-6A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673EJN-7A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673EN-6A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673EN-7A	ETC	获取价格	x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW232D-5	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW232D-5L	HITACHI	获取价格	EDO DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72
HB56UW232D-6	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW232D-6L	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW232D-7	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module

与HB56UW1673EJN-5相关文章

UL248-14数据手册深度解读：微型保险丝的全面剖析
2024-07-08

0
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

17
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HB56UW1673EJN-5

HB56UW1673EJN-5 技术参数

HB56UW1673EJN-5 数据手册

与HB56UW1673EJN-5相关器件

与HB56UW1673EJN-5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HB56UW1673EJN-5

HB56UW1673EJN-5 技术参数

HB56UW1673EJN-5 数据手册

与HB56UW1673EJN-5相关器件

与HB56UW1673EJN-5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？