5秒后页面跳转
HB56UW1673EN-7A PDF预览

HB56UW1673EN-7A

更新时间: 2024-01-29 00:30:47
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
36页 1544K
描述
x72 EDO Page Mode DRAM Module

HB56UW1673EN-7A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168内存密度:1207959552 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:72
端子数量:168字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.018 A
子类别:DRAMs最大压摆率:2.88 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HB56UW1673EN-7A 数据手册

 浏览型号HB56UW1673EN-7A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HB56UW1673EN-7A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HB56UW1673EN-7A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HB56UW1673EN-7A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HB56UW1673EN-7A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HB56UW1673EN-7A的Datasheet PDF文件第7页 

与HB56UW1673EN-7A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HB56UW232D-5 ETC

获取价格

x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW232D-5L HITACHI

获取价格

EDO DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72
HB56UW232D-6 ETC

获取价格

x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW232D-6L ETC

获取价格

x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW232D-7 ETC

获取价格

x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW232D-7L ETC

获取价格

x32 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW264DB-5 HITACHI

获取价格

EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-5L HITACHI

获取价格

EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-6 HITACHI

获取价格

EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
HB56UW264DB-6BL ETC

获取价格

x64 EDO Page Mode DRAM Module