生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM168 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 60 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDMA-N168 | 内存密度: | 1207959552 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 72 |
端子数量: | 168 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM168 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 最大待机电流: | 0.018 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 3.24 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HB56UW1673EN-7A | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW232D-5 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW232D-5L | HITACHI |
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EDO DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, SODIMM-72 | |
HB56UW232D-6 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW232D-6L | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW232D-7 | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW232D-7L | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW264DB-5 | HITACHI |
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EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 | |
HB56UW264DB-5L | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 | |
HB56UW264DB-6 | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 |