5秒后页面跳转
HB56TW132D-7BL PDF预览

HB56TW132D-7BL

更新时间: 2024-01-18 08:20:00
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 170K
描述
x32 Fast Page Mode DRAM Module

HB56TW132D-7BL 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DMA
包装说明:DIMM, DIMM72针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N72
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:72
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM72
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:25.4 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.0008 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.56 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HB56TW132D-7BL 数据手册

 浏览型号HB56TW132D-7BL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HB56TW132D-7BL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HB56TW132D-7BL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HB56TW132D-7BL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HB56TW132D-7BL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HB56TW132D-7BL的Datasheet PDF文件第7页 

与HB56TW132D-7BL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HB56TW132D-8B ETC

获取价格

x32 Fast Page Mode DRAM Module
HB56TW132D-8BL ETC

获取价格

x32 Fast Page Mode DRAM Module
HB56TW432D-5 ETC

获取价格

x32 Fast Page Mode DRAM Module
HB56TW432D-5L ETC

获取价格

x32 Fast Page Mode DRAM Module
HB56TW432D-6 ETC

获取价格

x32 Fast Page Mode DRAM Module
HB56TW432D-6A HITACHI

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
HB56TW432D-6AL HITACHI

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
HB56TW432D-6BL HITACHI

获取价格

Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, MOS
HB56TW432D-6L ETC

获取价格

x32 Fast Page Mode DRAM Module
HB56TW432D-7 ETC

获取价格

x32 Fast Page Mode DRAM Module