生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | SIMM, SSIM72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
备用内存宽度: | 18 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 | 内存密度: | 603979776 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | SIMM |
封装等效代码: | SSIM72 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.036 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 2.52 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | MOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HB56A1636SB-8B | ETC | x36 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A164EJ-6C | ETC | x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A164EJ-7B | HITACHI | Fast Page DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168 |
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HB56A164EJ-7C | ETC | x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A164EJ-8C | ETC | x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A172E-6B | HITACHI | Fast Page DRAM Module, 1MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 |
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