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HB56A1636SB-7B

更新时间: 2024-02-05 03:05:56
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
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19页 333K
描述
x36 Fast Page Mode DRAM Module

HB56A1636SB-7B 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SSIM72针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度:18I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:603979776 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:36
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:NO最大待机电流:0.036 A
子类别:DRAMs最大压摆率:2.52 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

HB56A1636SB-7B 数据手册

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