是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , SIP30,.2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 30 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码: | SIP30,.2 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 座面最大高度: | 12.7 mm |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.48 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HB56A18AT-10A | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A18AT-12 | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A18AT-12A | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A18AT-15 | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A18AT-6H | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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HB56A18AT-7H | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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