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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , SIP30,.2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 30 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码： | SIP30,.2 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 座面最大高度： | 12.7 mm |
| 最大待机电流： | 0.008 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.48 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HB56A18AT-12 | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18AT-12A | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18AT-15 | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18AT-6H | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18AT-7H | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18AT-8A | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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