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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | , SIP30,.2 | 针数： | 30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XSMA-T30 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 30 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | SIP30,.2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 座面最大高度： | 20.574 mm | 最大待机电流： | 0.008 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.4 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HB56A18A-12A | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM Module |
|
| HB56A18A-15 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
|
| HB56A18A-6H | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
|
| HB56A18A-7H | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18A-8A | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM Module |
|
| HB56A18AT-10 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
|
| HB56A18AT-10A | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18AT-12 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18AT-12A | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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| HB56A18AT-15 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |
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