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HAT2028RJ-EL-E

更新时间： 2024-01-24 19:46:08

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
8页	101K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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HAT2028RJ-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

HAT2028RJ-EL-E 数据手册

HAT2028R, HAT2028RJ

Main Characteristics

Maximum Safe Operation Area

Power vs. Temperature Derating

100

4.0

3.0

2.0

1.0

Test Condition:

When using the glass epoxy board

(FR4 40 × 40 × 1.6 mm), PW ≤ 10 s

10 µs

Operation in

this area is

limited by R_{DS (on)}

0.3

0.1

Ta = 25°C

1 shot Pulse

1 Drive Operation

0.03

0.01

0.1 0.3

100

150

200

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Note 6:

Ambient Temperature Ta (°C)

When using the glass epoxy board

(FR4 40 × 40 × 1.6 mm)

Typical Output Characteristics

Typical Transfer Characteristics

10 V

8 V

6 V

Pulse Test

5 V

–25°C

Tc = 75°C

25°C

4.5 V

4 V

3.5 V

3 V

V_DS= 10 V

Pulse Test

V_GS= 2.5 V

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

0.5

Pulse Test

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

V_GS= 4 V

0.1

I_D= 2 A

10 V

0.05

1 A

0.02

0.01

0.5 A

0.1 0.2

0.5

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 3 of 7

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