HAT2038

更新时间： 2024-02-20 20:43:23

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
10页	63K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HAT2038 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.084 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT2038R/HAT2038RJ

Silicon N Channel Power MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-666C (Z)

4th. Edition

February 1999

Features

•

For Automotive Application ( at Type Code “J “)

Low on-resistance

Capable of 4 V gate drive

High density mounting

Outline

SOP–8

7 8

D D

1, 3

2, 4

Source

Gate

5, 6, 7, 8 Drain

S 3

MOS2

MOS1

12 3 4 5 6 7...10

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HAT2038R	RENESAS	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT2038R	HITACHI	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT2038R/HAT2038RJ	ETC		获取价格
HAT2038R_09	RENESAS	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT2038R-EL-E	RENESAS	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT2038RJ	HITACHI	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格