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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.34 |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.098 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HAT2033 | HITACHI | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT2033R | HITACHI | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT2033R | RENESAS | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT2033R/HAT2033RJ | ETC |
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| HAT2033R-EL-E | RENESAS | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT2033RJ | RENESAS | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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