5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.053 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HAT2033R | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| HAT2033R | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| HAT2033R/HAT2033RJ | ETC |
获取价格 |
|
|
| HAT2033R-EL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| HAT2033RJ | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| HAT2033RJ | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| HAT2033RJ-EL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| HAT2035R | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| HAT2035R-EL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| HAT2036R | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
