Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HAT2035R-EL-E

HAT2035R-EL-E

更新时间： 2024-01-08 12:43:32

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HAT2035R-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	5.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT2035R-EL-E 数据手册

HAT2035R

Silicon N Channel Power MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1242-0100

Rev.1.00

Jun. 09, 2005

Features

•

Low on-resistance

Capable of 4 V gate drive

Low drive current

High density mounting

Outline

RENESAS Package code: PRSP0008DD-D

(Package name: SOP-8<FP-8DAV>)

1, 3

2, 4

Source

Gate

5, 6, 7, 8 Drain

S 1

S 3

MOS1

MOS2

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to Source voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

150

±15

0.5

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

Body-Drain diode reverse Drain current

Channel dissipation

I_DR

0.5

Note2

P_ch

1.5

°C

Note3

Channel dissipation

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Storage temperature

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %

2. 1 Drive operation : When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm)

3. 2 Drive operation : When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm)

Rev.1.00 Jun. 09, 2005, page 1 of 3

12 3 4

下载PDF

与HAT2035R-EL-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HAT2036R	HITACHI	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	获取价格
HAT2036R	RENESAS	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	获取价格
HAT2036R-EL-E	RENESAS	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	获取价格
HAT2037T	HITACHI	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT2037TEL	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 28V, 0.04ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se	获取价格
HAT2038	HITACHI	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格