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HAT1036R-EL-E

更新时间: 2024-11-11 07:02:47
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 88K
描述
Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching

HAT1036R-EL-E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SOP
包装说明:3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.31Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A最大漏极电流 (ID):12 A
最大漏源导通电阻:0.034 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):96 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

HAT1036R-EL-E 数据手册

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HAT1036R  
Silicon P Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1149-0700  
(Previous: ADE-208-662E)  
Rev.7.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Low on-resistance  
RDS (on) = 11 mtyp  
Capable of –4 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Outline  
RENESAS Package code: PRSP0008DD-D  
(Package name: SOP-8 <FP-8DAV> )  
5 6 7 8  
D D D D  
5
6
7
8
1, 2, 3  
4
5, 6, 7, 8  
Source  
Gate  
Drain  
4
G
4
3
2
1
S S S  
1 2 3  
Rev.7.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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