Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HAT1038R-EL-E

HAT1038R-EL-E

更新时间： 2024-01-25 16:17:51

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	226K
描述
Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HAT1038R-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT
包装说明：	3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HAT1038R-EL-E 数据手册

Preliminary

HAT1038R, HAT1038RJ

Silicon P Channel Power MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1150-0600

Rev.6.00

Aug 25, 2009

Features

•

For Automotive Application (at Type Code "J")

Low on-resistance

Capable of 4 V gate drive

High density mounting

Outline

RENESAS Package code: PRSP0008DD-D

(Package name: SOP-8 <FP-8DAV> )

7 8

D D

5 6

D D

1, 3

2, 4

5, 6, 7, 8

Source

Gate

Drain

S 1

S 3

MOS1

MOS2

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–60

±20

–3.5

–28

–3.5

—

Unit

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

I_DR

Body-drain diode reverse drain current

Note 4

Avalanche current

Avalanche energy

HAT1038R

I_AP

—

HAT1038RJ

HAT1038R

HAT1038RJ

–3.5

—

Note 4

E_AR

—

°C

1.05

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Pch ^{Note 2}

Pch ^{Note 3}

Tch

150

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 μs, duty cycle ≤ 1%

2. 1 Drive operation: When using the glass epoxy board (FR4 40 × 40 × 1.6 mm), PW ≤ 10 s

3. 2 Drive operation: When using the glass epoxy board (FR4 40 × 40 × 1.6 mm), PW ≤ 10 s

4. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

REJ03G1150-0600 Rev.6.00 Aug 25, 2009

Page 1 of 7

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与HAT1038R-EL-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HAT1038RJ	RENESAS	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT1038RJ	HITACHI	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT1038RJ-EL-E	RENESAS	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT1041T	RENESAS	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT1043	HITACHI	Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching	获取价格
HAT1043M	RENESAS	Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching	获取价格