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GVT7164T18T-5

更新时间： 2024-11-01 14:50:39
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 129K
描述
Cache Tag SRAM, 64KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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GVT7164T18T-5 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：3.8 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：1179648 bit内存集成电路类型：CACHE TAG SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.24 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

GVT7164T18T-5 数据手册

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ADVANCE INFORMATION  
GVT7164T18  
64K X 18 SYNCHRONOUS TAG SRAM  
GALVANTECH, INC.  
SYNCHRONOUS  
CACHE TAG SRAM  
PIPELINED OUTPUT  
64K x 18 SRAM  
+3.3V SUPPLY WITH CLOCKED  
REGISTERED INPUTS  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
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Fast match times: 4.5, 5.0, 6.0, and 7.0ns  
Fast clock speed: 133, 100, 83, and 75 MHz  
Fast OE# access times: 4.5ns and 5.0ns  
Pipelined data comparator  
Data input register load control by DEN#  
3.3V -5% and +10% power supply  
The Galvantech Synchronous SRAM family employs  
high-speed, low power CMOS designs using advanced triple-  
layer polysilicon, double-layer metal technology. Each  
memory cell consists of four transistors and two high valued  
resistors.  
The GVT7164T18 SRAM integrates 65,536 x 18 SRAM  
cells with advanced synchronous peripheral circuitry and a  
18-bit comparator for tag compare operation. All synchronous  
inputs are gated by registers controlled by a positive-edge-  
triggered clock input (CLK). The synchronous inputs include  
all addresses, all data inputs, depth-expansion chip enables  
(CE# and CE1), write enable (WE#), and data input enable  
(DEN#).  
Asynchronous inputs include the output enable (OE#)  
and the match output enable (MOE#). The data outputs (Q)  
and match output (MATCH), enabled by OE# and MOE#  
respectively, are also asynchronous.  
Data inputs are registered with data input enable (DEN#)  
and chip enable pins (CE#, CE1). The outputs of the data  
input registers are compared with data in the memory array  
and a match signal is generated. The match output is gated  
into a pipeline register and released to the match output pin at  
the next rising edge of clock (CLK).  
5V tolerant inputs except I/O’s  
Clamp diodes to VSS at all inputs and outputs  
Common data inputs and data outputs  
Two chip enables for depth expansion  
Address, data and control registers  
Internally self-timed WRITE CYCLE  
Automatic power-down for portable applications  
Low profile 119 lead, 14mm x 22mm BGA (Ball Grid  
Array) and 100 pin TQFP packages  
OPTIONS  
•
MARKING  
Timing  
4.5ns access/7.5ns cycle  
5.0ns access/10ns cycle  
6.0ns access/12ns cycle  
7.0ns access/13.3ns cycle  
-4  
-5  
-6  
-7  
•
Packages  
The GVT7164T18 operates from a +3.3V power supply.  
All inputs and outputs are LVTTL compatible. The device is  
ideally suited for address tag RAM for up to 2 MB secondary  
cache.  
119-lead BGA  
100-pin TQFP  
B
T
Galvantech, Inc. 3080 Oakmead Village Drive, Santa Clara, CA 95051  
Tel (408) 566-0688 Fax (408) 566-0699 Web Site http://www.galvantech.com  
Rev. 11/97  
Galvantech, Inc. reserves the right to change  
products or specifications without notice.  
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与GVT7164T18T-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GVT7164T18T-7 CYPRESS

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 		Cache Tag SRAM, 64KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
GVT7165B36T-10 CYPRESS

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 		Application Specific SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100
GVT72512A8J-12 ETC

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 		x8 SRAM
GVT72512A8J-12I ETC

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