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GVT71128D32T-4I

更新时间: 2024-01-16 10:47:32
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其他 - ETC 静态存储器
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13页 59K
描述
128K X 32 SYNCHRONOUS BURST SRAM

GVT71128D32T-4I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:4.8 ns
其他特性:PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:32
功能数量:1端子数量:100
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.1 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

GVT71128D32T-4I 数据手册

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GVT71128D32  
128K X 32 SYNCHRONOUS BURST SRAM  
GALVANTECH  
,
Ordering Information  
GVT 71128D32 X - X X  
Galvantech Prefix  
Temperature (Blank = Commercial  
I = Industrial)  
Part Number  
Speed (4 = 4.8ns access/10ns cycle  
5 = 5ns access/10ns cycle  
6 = 6ns access/12ns cycle  
7 = 7ns access/15ns cycle)  
Package (T = 100 PIN TQFP)  
November 20, 1999  
13  
Galvantech, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
Rev. 11/99  

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