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GT45F123

更新时间： 2024-11-30 20:00:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 261K
描述
TRANSISTOR 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, 2-10U1C, TO-220SIS, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

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GT45F123 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：2-10U1C, TO-220SIS, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.24
外壳连接：ISOLATED集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：290 ns
标称接通时间 (ton)：230 nsBase Number Matches：1

GT45F123 数据手册

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GT45F123  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT45F123  
Unit: mm  
For PDP-TV Applications  
•
•
•
•
•
5th generation (trench gate structure) IGBT  
Enhancement-mode  
Low input capacitance: Cies = 2700pF (typ.)  
Peak collector current: I  
TO-220SIS package  
= 200 A (max)  
CP  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
300  
V
V
CES  
± 30  
GES  
Pulse  
(Note 1)  
Collector current  
I
200  
A
CP  
1. Gate  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
26  
2
Collector power  
dissipation  
2. Collector  
3. Emitter  
P
W
C
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
JEDEC  
-
-
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
JEITA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
TOSHIBA  
Weight: 2 g (typ.)  
2-10U1C  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
4.8  
Unit  
Thermal resistance , junction to case  
R
th (j-c)  
°C/W  
(Tc = 25°C)  
Thermal resistance , junction to  
ambient  
R
th (j-a)  
62.5  
°C/W  
(Ta = 25°C)  
Marking  
45F123  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot code  
Note 1: ICP maximum rating(200A) is limited by pulse width (3 μs ).  
1
2007-09-13  
1234567

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