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GT45F123

更新时间： 2024-01-12 05:15:43

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东芝 - TOSHIBA		局域网栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	261K
描述
TRANSISTOR 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, 2-10U1C, TO-220SIS, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

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GT45F123 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	2-10U1C, TO-220SIS, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.24
外壳连接：	ISOLATED	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	290 ns
标称接通时间 (ton)：	230 ns	Base Number Matches：	1

GT45F123 数据手册

GT45F123

, V

CE GE

– Q

C – V

500

400

300

200

100

10000

1000

100

Common emitter

= 2.5 Ω

ies

Tc = 25°C

oes

= 300 V

res

100

200

Common emitter

= 0 V

f = 1 MH

Tc = 25°C

150

0.1

100

Gate charge Qg (nC)

Collector−emitter voltage

(V)

Switching time − R

Switching time – I

Common emitter

= 250 V

= +15 V / 0 V

= 80 A

off

Tc = 25 ℃

off

0.1

Common emitter

= 250 V

= +15 V / 0 V

= 5.1 Ω

Tc = 25 ℃

0.1

0.01

100

120

Gate resistance

(Ω)

Collector current

(A)

2007-09-13

1 2 3 456 7

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