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GT45G131

更新时间： 2024-11-20 18:28:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 239K
描述
TRANSISTOR 400 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-10S2C, TO-220SM, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

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GT45G131 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220SM
包装说明：LEAD FREE, 2-10S2C, TO-220SM, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.26
外壳连接：COLLECTOR集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：360 ns标称接通时间 (ton)：160 ns
Base Number Matches：1

GT45G131 数据手册

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GT45G131  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor  
Silicon N Channel IGBT  
GT45G131  
For PDP-TV Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
5th generation (trench gate structure) IGBT  
Enhancement-mode  
Low V = 1.9 V typ. (Test Condition: I = 120 A,V = 15 V )  
GE  
CE (sat)  
C
Peak collector current: I  
= 200 A (max)  
CP  
TO-220SM package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
400  
V
V
CES  
± 30  
GES  
Pulse  
(Note 1)  
Collector current  
I
200  
160  
A
CP  
Collector power  
dissipation  
1. Gate  
Tc = 25°C  
P
W
C
2. Collector(HEAT SINK)  
3. Emitter  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-10S2C  
Weight: 1.5 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: I  
maximum rating (200 A) is limited by pulse width (3 μs).  
CP  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
0.78  
Unit  
Thermal resistance , junction to case  
R
th (j-c)  
°C/W  
(Tc = 25°C)  
Marking  
4 5 G 1 3 1  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
A line indicates  
Lead (Pb)-Free Finish.  
1
2009-01-24  
1234567

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